立式LPCVD
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應用于集成電路制造中的堅膜氧化層、多晶硅沉積;適用工藝有TEOS、Poly、SiN。

設備特點
- 全自動傳送,定位精準,穩定可靠
- 高潔凈工藝環境
- 設備內部形成局部凈化環境,有效控制污染
- 工藝氣體充分預熱,氣氛均勻,精確溫控
- 薄膜均勻性佳
技術指標
- 晶片尺寸:8”(兼容6”)
- 典型工藝溫度:500~800℃
- 恒溫區長度:≥860mm
- 單點控溫精度:≤±0.5℃
- 最大載片量:170片
- 極限真空:≤20mtorr
- 新增顆粒:≤30(≥0.2μm)
- 金屬污染:<5E10atm/cm2