低壓磷擴散設(shè)備（M5211-8/UM型）
關(guān)鍵詞：
泛半導(dǎo)體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商
低壓磷擴散設(shè)備（M5211-8/UM型）
低壓磷擴散設(shè)備（M5211-8/UM型）
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主要用于HJT電池非晶硅膜層沉積。采用射頻等離子體增加化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10nm的非晶硅/微晶硅
低壓硼擴散設(shè)備用于N型晶體硅TOPCON、TBC等工藝中PN結(jié)的制備。
設(shè)備特點
· 工藝兼容：硅片尺寸可兼容至230mm，具備硼擴散、氧化、退火及磷擴散等多種工藝兼容
· 新型爐門機構(gòu)：采用柔性爐門支撐機構(gòu)、可旋轉(zhuǎn)式爐門設(shè)計方式，爐口密封圈更換及爐門維護無需設(shè)備降溫，維護更加便捷，有效延
長石英管、爐體壽命
· 卓越防腐設(shè)計：爐口表面防腐處理，整個反應(yīng)室無金屬暴露，保證工藝過程的潔凈度及鈍化效果
· 快速冷卻：具備獨創(chuàng)的快速冷卻專利技術(shù)，高溫氧化后可縮短工藝時間10 min以上
· 濕氧工藝：成熟的濕氧工藝，提升高溫氧化速率，降低氧化溫度，提升石英件壽命
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